最近，美光将其DRAM路线图从三个单元减少阶段更新为四个阶段，从而使每个芯片具有更大的DRAM容量并降低了每GB的成本。根据计划，美国芯片制造商打算通过以下步骤逐步减小单元或工艺节点的尺寸，从不再主流的20nm节点工艺尺寸到10nm（19nm-10nm范围）节点工艺：1Xnm-（c19 -17nm）更多早期DRAM技术处理节点尺寸1Ynm-（c16-14nm）是当今主流的DRAM位生产技术1Znm-（c13-11mn）2020年第三季度，美国DRAM位生产的15％在此过程中完成的1αnm工艺节点-1α-1βnm工艺节点将于2021年上半年投入量产-1beta-处于早期开发阶段1nm工艺节点-1gamma-早期工艺集成1δnm工艺节点-1delta-正在探索中，EUV技术可能是必需的。 1delta节点的大小是MicronDRAM路线图的一个新条目。我们没有低于1Znm的指示性过程节点大小。美光表示，随着从1Xnm到1Yn和1Znm的转变，位密度的增长速度减慢了。但是，该公司加快了其增长速度，将工艺节点的尺寸从1Znm增大到1αnm40％。富国银行分析师Aaron Rakers表示，美光在1ZnmDRAM生产中具有很强的地位。他引用研究公司DRAMeXchange的数据，估计美光在2020年第三季度的1Znm产量占其DRAM位产量的15％，而三星和SKhynix分别占6％和0。在其他相同条件下，1ZnmDRAM的制造成本低于以前的1Ynm节点。关于EUV微米的观点使用深紫外线（DUV）多图案光刻技术在晶片上布置DRAM单元芯片的细节。随着工艺节点尺寸缩小到10nm单元尺寸以下，光束的波长成为一个约束。 ASML是芯片行业中光刻机的主要供应商，并且已经开发出可发出较小波长光的EUV（极端紫外线）光刻机。这项技术可以在晶圆上蚀刻更窄的线条，因此可以实现更小的工艺尺寸，也就是说，晶圆上的DRAM裸片数量更多，因此每个晶圆的容量更高，每GB的成本更低。但是资本支出巨大。目前，ASML每年仅生产30台EUV光刻机。它们重180吨，每个耗资1.2亿美元。三星在1Znm工艺节点中使用EUV，SKhynix计划使用EUV技术批量生产1αnmDRAM和1βnmDRAM。美光认为，EUV直到2023年或更晚才具有成本竞争力，这意味着他们将在1δnm工艺节点引入EUV。