浪涌电压保护：具有非常高开关频率的现代功率半导体器件容易受到潜在破坏性电压尖峰的影响。 跨接在功率半导体器件两端的浪涌电压保护电容器通过吸收电压脉冲来限制峰值电压，从而保护半导体器件，使浪涌电压保护电容器成为功率元件库的重要成员。
半导体器件的电压和电流额定值及其开关频率决定了浪涌电压保护电容器的选择。 由于这些电容器的 dv/dt 值非常陡峭，因此薄膜电容器是该应用的正确选择。 不能仅根据电容/电压值来选择电容器。 选择浪涌电压保护电容器时，还应考虑所需的 dv/dt 值。
浪涌电压保护：具有非常高开关频率的现代功率半导体器件容易受到潜在破坏性电压尖峰的影响。 跨接在功率半导体器件两端的浪涌电压保护电容器通过吸收电压脉冲来限制峰值电压，从而保护半导体器件，使浪涌电压保护电容器成为功率元件库的重要成员。
半导体器件的电压和电流额定值及其开关频率决定了浪涌电压保护电容器的选择。 由于这些电容器的 dv/dt 值非常陡峭，因此薄膜电容器是该应用的正确选择。 不能仅根据电容/电压值来选择电容器。 选择浪涌电压保护电容器时，还应考虑所需的 dv/dt 值。