中芯国际在7纳米制程上取得突破,投资500亿在北京建厂

作为中国大陆第一大晶圆巨头,中芯国际代表着中国大陆最高的芯片制造水平。在国内替代潮流下,中芯国际肩负着沉重的责任,并成为推广自主可控国内芯片的先锋队。
7nm工艺的突破尽管中芯国际没有EUV光刻机,但它仍然没有放弃10nm及以下的先进工艺。在2019年第四季度,中芯国际实现了14nm芯片的批量生产,并进入了先进技术行列。
中芯国际的梁梦松表示,这家7nm技术公司也已经开始成功。据悉,中芯国际将于今年4月进行7nm风险量产,其实力将是向前迈出的一步。
如果没有EUV光刻机,中芯国际今天的突破确实是惊人的。一旦成功地批量生产了其7nm工艺,就会出现“卡住脖子”的问题。
在国内芯片制造业中将得到有效缓解。中芯国际在斥资500亿在北京建立工厂以征服先进的制造工艺的同时,也在努力促进产能扩张。
日前,北京亦庄正式宣布,中芯国际,国家集成电路瞬间烷投资基金和北京亦庄国际投资发展有限公司共同成立了中芯国际北京集成电路制造公司。据悉,中芯国际北京项目分两期建设,总投资497亿元,将有力地提高公司的生产能力。
今天,中芯国际北京城项目的第一期工程始于1月18日,建筑规模为24万平方米。据项目经理严超介绍,该项目目前处于打桩基础阶段,目前已完成3,200 / 4,887件,预计将于2月底完成。
根据计划,该项目第一阶段的总体完成时间为2024年,当时月产能约为100,000个12英寸晶圆。如今,全球“核心短缺”现象日趋严重。
形势严峻,供不应求的局面将持续很长时间。同时,在国内替代潮流下,中芯国际也给中芯国际提供了更大的发展空间。
中芯国际此举旨在扩大产能,有利于增加市场份额和知名度。有人分析说,中芯国际资本项目可能会为扩大7nm先进工艺生产能力做准备,并为将来的5nm和3nm芯片铺平道路。
写在最后,2020年对于中芯国际来说既是挑战也是机遇。今年,受华为事件影响,中芯国际进入了公众视野,成为关注的焦点。
尽管受到压制,中芯国际仍然给出了令人满意的答案。今年,中芯国际成功上市,其业绩也有了明显的提高。
2020年,中芯国际实现营业收入252.5亿元,净利润46.27亿元,表现突出。中芯国际在先进技术方面的努力也没有令人失望。
相信在中芯国际的领导下,国产芯片将迎来曙光。

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: tao@jepsun.com

产品经理: 陆经理

QQ: 2065372476

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • 1安铅保险丝直径约0.5至0.8毫米 铅保险丝的直径与所需通过的最大电流有关。一般来说,用于1安培电流的铅保险丝直径大约在0.5毫米到0.8毫米之间,但具体尺寸还需参照实际产品的规格表或制造商提供的数据。因为不同制造商可能有略微不同的设计标准和材料...
  • 4平方毫米铜芯线每米电阻约为0.00431欧姆 在电气工程领域中,了解电线的电阻对于设计和安装安全有效的电路至关重要。以常见的4平方毫米铜芯线为例,其电阻值是衡量该类型电线性能的重要指标之一。根据铜的标准电阻率,在20°C时,纯铜的电阻率为0.01724 Ω·mm²/m,...
  • 深入解析萧特基整流器与低Rds(on) MOS管在0.5A以上应用中的协同优势 萧特基整流器与低Rds(on) MOS管的技术背景在现代电源管理设计中,萧特基整流器(Schottky Diode)和低导通电阻(Rds(on))MOSFET因其优异的性能被广泛应用于高效率电源转换系统中。尤其在电流需求超过0.5A的应用场景下,两者的结合...
  • double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
  • 抗突波膜层晶圆电阻制造工艺深度解析:从材料到成品的全流程技术突破 抗突波膜层晶圆电阻制造工艺深度解析抗突波膜层晶圆电阻的制造涉及精密材料科学、微纳加工与可靠性测试等多个环节。其核心在于如何在保持低电阻率的同时,实现对瞬态电压的高效抑制。以下为关键制造流程的分步解析。...
  • 如何在Multisim 14.0中找到电阻 在使用Multisim 14.0进行电路设计和仿真时,找到并正确使用电阻元件是十分重要的。电阻作为最基本的电子元件之一,在电路中用于限制电流或分压。要在Multisim 14.0中找到电阻,请按照以下步骤操作:1. 打开Multisim软件,创建或打...
  • 为什么在零状态条件下,电容在t=0+时可视为短路? 在电路分析中,特别是在讨论暂态响应时,我们会遇到零状态条件下的电容。所谓零状态,是指初始时刻电容两端的电压为零。当考虑电路在施加输入信号的瞬间(即t=0+时),电容由于其存储电荷的能力,在这一时刻可以被视为...
  • 可编程片上系统(PSoC)在嵌入式智能控制中的创新应用 可编程片上系统(PSoC):融合硬件与软件的智能控制平台可编程片上系统(PSoC, Programmable System on Chip)是赛普拉斯(现为英飞凌科技)推出的一种高度集成的混合信号SoC解决方案,将微控制器、可编程模拟/数字外设、存储器与高...
  • 厚膜三倍功率取样电阻:突破传统功率限制的新一代解决方案 厚膜三倍功率取样电阻:引领高密度电力检测新趋势面对日益增长的功率密度需求,传统取样电阻已难以满足大电流、高频率、紧凑布局的应用场景。厚膜三倍功率取样电阻应势而生,以超越常规产品的额定功率为核心卖点,重...
  • 0欧姆电阻在电路设计中的多功能应用 在电子电路设计中,0欧姆电阻看似矛盾且无意义,但实际上它扮演着多种重要的角色。首先,0欧姆电阻可以作为跳线使用,在电路板布局阶段为设计师提供灵活性,使得在不需要焊接导线的情况下就能连接两个点。其次,它有助...
  • 从0.6X0.3mm到0.8X0.8mm:深入对比两种Chip SMD封装规格 Chip SMD-0.6X0.3mm 与 0.8X0.8mm 封装性能对比在电子元器件选型中,Chip SMD-0.6X0.3mm 和 0.8X0.8mm 是两种极具代表性的超小型封装形式。它们虽同属表面贴装技术,但在尺寸、应用场景及制造难度上存在明显差异。1. 尺寸与物理特性对比 参...
  • 微纳微波电容:下一代高频器件的突破性进展 微纳微波电容:下一代高频器件的突破性进展微纳微波电容是近年来微电子与纳米技术交叉融合的前沿成果,其特征尺寸达到微米甚至纳米级别,广泛应用于太赫兹通信、量子计算和生物传感等领域。相比传统微波电容,微纳微...
  • 0R电阻 0欧姆电阻 在线路中有什么用? 0R电阻在电路中的作用:1.在电路中强制性做上拉或下拉,做上拉时下拉电阻一般不上件,做下拉时上拉电阻一般不上件.(0R电阻)&nbsp;2.电压转换隔离作用,可以做跳线用,如果某段线路不用,直接贴该电阻即可(不影响外观)...
  • 无感大功率电阻在新能源领域的技术突破 无感大功率电阻在新能源领域的技术突破随着新能源产业的快速发展,尤其是光伏逆变器、风电变流器及电动汽车充电桩的普及,对电路中关键元器件提出了更高要求。无感大功率电阻因其卓越的高频稳定性与高可靠性,正成为...
  • 0.6V与1.24V参考电压组件在精密模拟电路中的应用对比 0.6V与1.24V参考电压组件的核心差异分析在现代模拟集成电路设计中,参考电压组件是确保系统精度和稳定性的关键元件。其中,0.6V和1.24V两种参考电压组件因其独特的性能参数,在低功耗、高精度应用场景中备受关注。1. 工作原...
  • PT100热电阻温度与电阻值对照表(0°C基准0.385) 根据PT100热电阻的标准特性,其电阻值随温度变化而变化,通常基于0°C时电阻为100Ω作为参考。对于给定的温度系数α=0.385Ω/°C(这指的是每度变化的电阻增量),我们可以构建一个简化版的对照表来展示特定温度下对应的电阻值...
  • 射电收发逻辑电路与低Rds(on) MOS管在0.5A应用中的协同设计解析 射电收发逻辑电路与低Rds(on) MOS管的集成优势在现代无线通信系统中,射电收发逻辑电路(GTL)作为高速信号传输的核心组成部分,对系统的稳定性与响应速度提出了极高要求。结合低Rds(on) MOS管(导通电阻极低的金属氧化物半导...
  • 深度剖析0.5A低Rds(on) MOS管与DIODESTAR二极管在节能电源中的技术融合 背景:能效标准推动器件革新随着全球对节能减排的日益重视,各国相继出台更严格的电源能效规范,如欧盟ErP指令、美国DOE Level VI标准。在此背景下,传统二极管整流方式因导通损耗大而逐渐被同步整流技术取代。以DIODESTAR PF...
  • SMD-1.6X0.8mm LED灯珠与Vishay 0.068μF电容在小型电子设备中的应用解析 引言随着电子设备向微型化、高性能化方向发展,SMD(Surface Mount Device)封装元件在电路设计中扮演着越来越重要的角色。其中,1.6×0.8mm尺寸的LED灯珠与Vishay品牌的0.068μF电容因其高集成度和稳定性,广泛应用于智能穿戴设备、便...
  • 宽温度范围LED芯片:突破极限,点亮未来照明 宽温度范围LED芯片:突破极限,点亮未来照明随着全球对高效、耐用照明解决方案的需求不断增长,宽温度范围LED芯片已成为推动下一代照明技术发展的核心驱动力。这类芯片不仅提升了LED产品的环境适应力,也从根本上改变了...