采用62mm器件半桥拓扑设计的CoolSiC™模块

在当今高度发展的科学技术中，各种各样的高科技出现在我们的生活中并为我们的生活带来便利，那么您知道这些高科技可能包含的CoolSiC™MOSFET模具吗？英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）在其1200 V CoolSiC™MOSFET模块系列中增加了62mm工业标准模块封装。

它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计和沟槽门芯片技术，为250kW以上的碳化硅的中等功率应用打开了大门（硅IGBT技术已达到62mm封装的功率密度极限）。

基于传统的62mm IGBT模块，碳化硅的应用范围已扩展到太阳能，服务器，储能，电动汽车充电桩，牵引以及商用电磁炉和功率转换系统。

尽管SiC材料在击穿电场强度，导热性和饱和电子速度方面比Si材料具有绝对优势，但当它形成MOS（金属氧化物半导体）结构时，SiC-SiO2界面电荷的密度远大于Si材料。

Si-SiO2的。

其结果是，SiC表面上的电子迁移率远低于体迁移率，因此沟道电阻远大于体电阻，这成为器件导通态特定的主要成分反抗。

该62mm模块配备了Infineon的CoolSiC MOSFET芯片，可以实现极高的电流密度。

其极低的开关损耗和传导损耗可以最大程度地减小冷却装置的尺寸。

在高开关频率下工作时，可以使用较小的磁性元件。

借助英飞凌的CoolSiC芯片技术，客户可以设计更小的逆变器，从而降低整体系统成本。

目前，普通的SiC MOSFET都是平面栅结构，在硅表面形成导电沟道，缺陷多，电子迁移率低。

英飞凌的CoolSiCTM MOSFET采用沟槽栅极结构。

导电通道从水平晶面转移到垂直晶面，极大地提高了表面电子迁移率，使该器件更易于驱动且使用寿命更长。

它使用62毫米标准基板和螺纹接口，并具有高度耐用的结构设计，可最大程度地提高和提高系统可用性，同时降低维护成本并减少停机时间损失。

出色的温度循环能力和150°C的连续工作温度（Tvjop）带来了出色的系统可靠性。

其对称的内部设计使上下开关具有相同的开关条件。

任选的“预处理热界面材料”为可替代的。

（TIM）配置可用于进一步改善模块的热性能。

以上是对CoolSiC™MOSFET模具的一些详细分析，值得每个人学习。

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