让我们首先说明N管开关在电路中的应用。如图1所示,如果晶体管工作在饱和区域(全导通),Rce≈0,Vce≈0.3V,而我们认为该0.3V直接接地,则需要使Ib大于或等于如果Ib = 1mA,Ic = 100mA,其放大倍率β= 100,则晶体管的导通状态变为1mA,晶体管完全导通。
因此,我们说IB是弱电流和弱信号,而IC是强电流和强信号。之所以使用晶体管作为开关管,是为了解决一些设备和传感器通过电流值很小的问题。
通常,它们不作为负载中的公共设备直接连接,而仅作为控制负载的开关信号连接。打开和关闭。
例如,已经在“热水循环泵”中引入了温度控制开关。在项目中,通常会承载小于5mA的电流,因此不适合直接连接到电路中以控制电路中的负载。
将这种设备连接到N管的B极,N管可用作开关管。现在,我们分析图2中的温度开关控制电动机的电路。
图2是温度开关控制电动机旋转和停止的电路图。温度开关等效于按键开关。
温度开关是一个弱信号,可以连接到B极,不能连接到IC。开关串联连接在B极上,N管可用作开关管。
图2中的电动机是直流有刷电动机。只要正极连接到12V且负极接地,电动机就会开始旋转。
在上一节中,我们讨论了电路分析中的三个要素。电路分析的关键是掌握三个要素:电源,接地和回路!对于该电路也是如此,从图2可以看出,总共有4个环路。
首先,当温度开关导通时,流经电路I的电流是晶体管CE完全导通,Vce> 0.3V。这时,电机两端的电压降接近12V,并且由于晶体管be的导通,它可以旋转。
阻抗比2K电阻R2小得多,因此大部分电流流过晶体管。当温度开关断开时,此时ib上没有电流,ic上没有电流,回路II不导通,并且不能流过12V的电压。
这是因为三极管是一种流量控制型,只有在ib上有电流时,才在有电压降时在ic上有电流。由于此刻温度开关已关闭,因此三极管ib和ic上的电流不会立即下降到零,而是会缓慢下降到零。
这在制造过程中是不可避免的。在这段时间内,三极管在扩大的区域工作,最容易受到干扰。
因此,必须连接一个下拉电阻器R2。该电阻器首先为三极管提供放电电路,其次为A点提供能量扩散路径。
我们现在将详细分析为什么在这里需要下拉电阻。首先,如图3所示,三极管的实际过程制造模型,在三极管BE,BC和CE之间分别有电容器C1,C2和C3。
一方面,这三个电容器的存在是我们所不需要的,另一方面,在制造过程中不可避免地要克服它,这是制造过程中不可避免的现象。我们称这种电容为杂散电容或寄生电容。
由于电容的存在,三极管势必会有延迟。当ib上没有电流时,三极管上的电容器C1开始放电,形成环路I。
这时,B点的电压从0.7V降至0V。它在放大区域工作,最容易受到干扰。
现在,在C1的两端添加一个电阻器R2。 ,电容器上的部分电将从电阻器R2释放,并且电阻越小,电容器放电的速度就越快。
因此,电阻器R2为电容器提供了释放电荷的路径,这大大缩短了三极管在放大区域工作的时间。然后,我们将再次分析为什么说电阻R2为点A提供了能量扩散路径。
如图2所示,当温度开关关闭时,点A此时处于浮动状态,而点处的电压处于浮动状态。 A是不确定的,并且处于高阻抗状态(阻抗是无限的),这易于导通,并且还容易受到周围环境的干扰。
例如,静电,雷击等会对设备造成永久性损坏。有雷击或高压时。
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: momo@jepsun.com
产品经理: 李经理
QQ: 2215069954
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- 55V至100V BJT双极晶体管在高压电路中的应用与设计解析 55V至100V BJT双极晶体管概述BJT(双极结型晶体管)作为模拟电路中核心的半导体器件,广泛应用于信号放大、开关控制及电源管理等场景。当工作电压范围达到55V至100V时,这类BJT特别适用于高耐压系统,如工业电源、电力电子逆...
- 50V BJT双极晶体管在模拟放大与电源管理中的实用电路设计 50V BJT双极晶体管的应用价值50V等级的BJT晶体管在中压模拟电路中具有重要地位,尤其在需要高增益、低噪声和良好线性度的场合。其成本低、易驱动、成熟度高的特点使其成为许多经典电路的理想选择。典型电路结构示例1. 共发...
- TSS二极管与TVS二极管在浪涌抑制中的应用对比分析 TSS二极管与TVS二极管概述在现代电子系统中,浪涌保护是保障设备安全稳定运行的关键环节。TSS(Transient Suppression Semiconductor)二极管和TVS(Transient Voltage Suppressor)二极管作为主流的瞬态电压抑制器件,广泛应用于电源输入、信...
- 深入解析双极晶体管电路中的基极电阻设计方法 双极晶体管基极电阻设计的系统化流程在数字逻辑电路和开关应用中,双极晶体管常作为开关使用。此时,基极电阻的设计直接关系到晶体管能否快速、可靠地进入饱和状态。1. 饱和条件下的基极电流要求为了使晶体管完全饱和...
- PFC二极管与低Rds(on) MOS管在高效电源设计中的协同应用解析 引言:高效电源系统的核心组件在现代开关电源(Switch-Mode Power Supply, SMPS)设计中,功率因数校正(Power Factor Correction, PFC)电路扮演着至关重要的角色。为了提升能效、减少谐波干扰并满足国际能效标准(如80 PLUS),PFC电路必须...
- 二极管网桥、肖特基二极管与齐纳二极管的性能对比分析 引言在现代电子电路设计中,二极管作为基础元件之一,广泛应用于整流、稳压、保护等关键功能。其中,二极管网桥、肖特基二极管和齐纳二极管因其独特的电气特性而备受关注。本文将从工作原理、性能参数、应用场景等方...
- ESD静电放电二极管与TVS二极管在电子设备中的关键保护作用解析 ESD静电放电二极管与TVS二极管的核心功能概述在现代电子设备日益复杂化和微型化的背景下,静电放电(ESD)已成为影响电路稳定性与可靠性的重要因素。ESD静电放电二极管与TVS(Transient Voltage Suppression)二极管作为两大主流瞬态...
- 小讯号开关二极管在电路中的关键作用与应用解析 小讯号开关二极管的核心功能与工作原理小讯号开关二极管是一种专为高频、低功率信号切换设计的半导体器件,广泛应用于通信、测量仪器和数字逻辑电路中。其核心优势在于响应速度快、导通电阻低、反向漏电流小,能够实...
- 0.5A以下电路中萧特基二极管与低Rds(on) MOS管的协同优化设计 协同设计:提升0.5A以下系统的能效与可靠性当系统工作电流限制在0.5A以内时,对功率器件的效率与温升极为敏感。合理搭配萧特基二极管与低Rds(on) MOS管,可实现近乎“零损耗”的能量转换路径。一、为什么需要协同设计?在传...
- 萧特基二极管与低Rds(on) MOS管在电源设计中的优选方案解析 引言:高效电源系统的核心元件选择在现代电子设备中,尤其是便携式设备、快充模块和高效电源转换器中,萧特基二极管(Schottky Diode)与低Rds(on) MOS管因其出色的导通损耗与开关性能,成为关键的功率器件。本文将深入分析这...
- 二极管、压敏电阻、TVS二极管与ESD二极管:电子电路防护的核心元件解析 引言:电子设备防护的必要性随着电子设备向小型化、高集成度发展,电路对电压波动、静电放电(ESD)和瞬态过电压的敏感性显著提高。为保障系统稳定运行,必须在电路中引入有效的保护元件。其中,二极管、压敏电阻、TVS...
- 深入解析萧特基二极管与低Rds(on) MOS管在0.5A以下电路中的协同应用 引言:高效电源设计的关键组件在现代电子系统中,尤其是便携式设备、低功耗传感器和嵌入式系统中,对电源管理的效率和体积提出了更高要求。萧特基二极管(Schottky Diode)与低Rds(on) MOS管作为核心元件,在0.5A以下电流范围内...
- 深入解析萧特基二极管与低Rds(on) MOS管在0.5A以下电路中的应用优势 萧特基二极管与低Rds(on) MOS管在0.5A以下电路中的协同作用在现代低功耗电子系统中,如便携式设备、物联网传感器节点和微型电源管理模块,对效率和热性能的要求日益严苛。萧特基二极管(Schottky Diode)与低Rds(on) MOS管的结合使...
- 三极管的三种状态 三极管的三种状态也叫三个工作区域,即:截止区、放大区和饱和区。 主要是根据两个pn结的偏置条件来决定: 发射结正偏,集电结反偏——放大状态; 发射结正偏,集电结也正偏——饱和状态; 发射结反偏,集...
- 三极管的三种工作状态 放大——对于NPN型三极管,BE电极电压大于0.7V(PNP型小于0.7V),可以进入放大区。在这种状态下,三极管可以简单地被视为由B极电压控制的可变电阻器。用BE电压控制电阻可以改变流过电阻的电流,这是三极管的电流放大特性截...
- 25V以下BJT双极晶体管在低功耗设计中的应用策略 低电压环境下的高效设计:25V以下BJT的应用实践随着物联网(IoT)设备、可穿戴技术及智能传感器的发展,对低功耗、小体积、高可靠性的电子元器件需求激增。在此背景下,25V及以下的BJT双极晶体管凭借其出色的能效比和可靠...
- 晶体管与肖特基二极管组合在高频电路中的优化应用 晶体管与肖特基二极管组合在高频电路中的优势与实现在射频(RF)、高速数字电路及开关电源领域,晶体管与肖特基二极管的组合应用已成为提升系统效率的关键策略。由于肖特基二极管具有低导通压降和快速开关特性,其与晶...
- 快速与超快速二极管在现代电源设计中的应用对比分析 快速与超快速二极管在现代电源设计中的应用对比分析随着电子设备向小型化、高效化方向发展,功率半导体器件的性能要求日益提高。其中,快速二极管(Fast Diode)和超快速二极管(Ultra-Fast Diode)因其优异的开关特性,在开关...
- 如何在电路设计中正确选用二极管?——以网桥、肖特基与齐纳为例 前言:二极管选型的重要性在电子系统设计中,二极管虽小,却直接影响系统的能效、稳定性与寿命。错误的选型可能导致发热严重、效率下降甚至器件损坏。本文以二极管网桥、肖特基二极管和齐纳二极管为案例,深入剖析选...
- 如何正确设计光电二极管与光耦发光二极管的并联电阻电路? 并联电阻电路设计的完整指南在现代电子系统中,光电转换技术广泛应用于传感器、隔离通信、自动控制等领域。正确配置光电二极管与光耦发光二极管的并联电阻,是确保系统长期稳定运行的核心环节。本篇文章将从设计流程...