比亚迪LFP PHEV叶片模块分析

摘要该PHEV中使用的LFP模块尚未得到大规模推广。这种结构的创新实际上改变了现有的软包装模块生产线。
实际上,近年来设备方面的更新迭代确实非常快。继昨天的文章之后,我认为比亚迪非常有趣。
它根据刀片式电池的外观制作了刀片式PHEV模块。如下图所示,将多个电池单元串联密封在一起以制成一个。
25.6V和1.22kwh(1P8S)长条形模块。图1比亚迪2020年第四季度的PHEV刀片模块数据。
比亚迪目前正处于从三元向LFP过渡的过程中。如下图所示,随着汉族电动汽车的每月增加,LFP的比例已超过三元电池。
数量。图2比亚迪在2020年第四季度安装的不同类型电池的数量。
根据12月份安装的MWh,LFP中的BEV电池数量已达到764.5MWh,超过了三元BEV的503MWh和三元PHEV的146MWh。可以说,针灸实验是在100人的会议上说的,这实际上意味着比亚迪将继续对其进行改造,不仅扩大LFP刀片式电池的使用范围,而且还将在PHEV中引入刀片式模块。
图3 2020年第4季度不同类型的比亚迪不同类型的已装载MWh电池。这种较厚的电池意味着什么?实际上,在先前发布的信息中,这是具有1P或多个P的类似软包装电池达到8.3kWh〜21.5kWh技术的容量。
刀片模块类似于BEV的LFP单元。这是先前专利中的方法。
它有点类似于丰田公司开发的镍氢电池。使用一端将不同数量的小容量电池封装成条状的长模块。
如下图所示,在连接方法中,形成了U形的连接形式。图4在比亚迪的PHEV叶片LFP电池下方发布的PPT照片实际上与以前的专利结构非常相似。
这两个电池组合在一起,一个容量的电池单元可用于1P和2P,以形成不同的结构。来。
将单个刀片模块制成8S后,如果要实现8kwh电池组,可以放置7个模块,整体结构并不复杂。图5的内部结构从模块的内部结构的角度来看,托盘非常流线型,并且冷却板采用制冷剂的直接冷却方式,可以实现较高的集成效率和整个包装箱的低高度,因此下列基于该系列的电池可以轻松切换Tang DM和Song DM汽车。
由于LFP的功率特性,通过外部逆变器引入了脉冲自加热模式以对其进行改进。在此,通过内部热量的加热可能更好,并且包装的热管理结构没有加热设计。
(备注:理解后我可以进行完整的切换)摘要:在宣传中,尚未大规模提及此PHEV中使用的LFP模块。这种结构的创新实际上改变了现有的软包装模块。
实际上,近年来,设备方面的更新迭代确实非常快。

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: ys@jepsun.com

产品经理: 汤经理

QQ: 2057469664

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • 德国P+F近接开关:高精度与可靠性的典范 德国P+F公司,即Pepperl+Fuchs,是全球领先的传感器技术和自动化领域的专家。其生产的近接开关(也称为接近传感器或接近开关)是工业自动化领域不可或缺的一部分。这些设备能够无接触地检测物体的存在,广泛应用于各种行业...
  • P沟道与N沟道MOS管在8V至29V电压范围内的应用对比分析 P沟道与N沟道MOS管概述在现代电子电路设计中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其高输入阻抗、低功耗和快速开关特性而被广泛应用。根据导电类型的不同,MOS管可分为P沟道和N沟道两种。其中,P沟道MOS管(PMOS)在栅...
  • P沟道与N沟道MOS管在31V至99V高压应用中的性能对比分析 引言在现代电力电子系统中,尤其是高压开关电源、工业控制、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等领域,31V至99V范围内的MOS管选型至关重要。其中,P沟道与N沟道MOS管因其不同的工作原理和特性,在该电压区间内各有优势与适用...
  • 德国P+F接近开关:工业自动化中的关键组件 德国P+F接近开关是工业自动化领域中不可或缺的一部分,它们被广泛应用于各种机械设备和生产线上,以实现非接触式的物体检测。这种传感器通过电磁场或射频技术来识别目标物体,无需与物体直接接触即可检测其存在与否,...
  • 德国福P+F接近开关:自动化控制领域的高效解决方案 德国福P+F公司是世界著名的传感器制造商之一,其生产的接近开关在自动化控制领域拥有极高的声誉。福P+F接近开关采用先进的传感技术,能够在无需物理接触的情况下检测到目标物体的存在,这不仅减少了机械磨损,还大大提...
  • 德国P+F电感式接近开关:工业自动化的关键组件 德国P+F(*福)是一家在传感器技术和自动化领域享有盛誉的公司。其电感式接近开关作为产品线中的重要一员,在工业自动化控制领域扮演着关键角色。这种类型的接近开关利用电磁感应原理来检测金属物体的存在与否,无需与目...
  • N沟道8V至29V MOS管与P沟道MOS管性能对比分析 N沟道8V至29V MOS管与P沟道MOS管核心差异解析在现代电子系统设计中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)作为关键的开关和放大元件,广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换等场景。其中,N沟道与P沟道MOS管因其工作原...
  • PTTC聚鼎PMV1812 vs 同类电源模块对比分析报告 PTTC聚鼎PMV1812性能对比与市场定位在当前主流工业电源模块市场中,PTTC聚鼎PMV1812凭借其卓越的综合表现脱颖而出。本文将从效率、可靠性、成本控制及售后服务等方面,与同类产品进行横向对比分析。1. 转换效率对比与市面上常...
  • WAN3216F245HL6、WAN3216E245H02与WAN2614K245H04三款工业级电源模块深度对比分析 引言:工业电源模块选型的关键考量在现代工业自动化与智能制造系统中,电源模块作为核心供电单元,其稳定性、效率和兼容性直接影响整个系统的运行表现。本文将对三款常见型号——WAN3216F245HL6、WAN3216E245H02与WAN2614K245H04进...
  • WAN7020L245M04、WAN2012F245M06 与 WAN4030D245M02 三款工业级模块性能深度对比分析 引言在工业物联网(IIoT)和智能设备快速发展的背景下,通信模块作为数据传输的核心组件,其性能、稳定性与兼容性至关重要。本文将对三款常见的工业级通信模块——WAN7020L245M04、WAN2012F245M06 与 WAN4030D245M02 进行全面对比分析...
  • N+P互补对MOS管的设计优化与挑战分析 设计中的关键参数考量在实际电路设计中,N+P互补对MOS管的性能不仅取决于其基本结构,还受到多种因素影响。以下为关键设计要素:1. 尺寸匹配(宽长比优化)为了实现对称的传输特性,需合理设置NMOS与PMOS的宽长比(W/L)。通...
  • 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
  • N+P互补对MOS管在8V至29V电源系统中的应用与优势分析 引言在现代电子系统中,尤其是工业控制、汽车电子和高电压电源管理领域,8V至29V的宽电压范围供电需求日益增长。N+P互补对MOS管(即N沟道与P沟道MOSFET组成的互补结构)因其优异的开关性能和高可靠性,成为该电压区间内核心...
  • N沟道MOS管与P沟道MOS管的核心差异解析:从工作原理到应用对比 引言N沟道MOS管(NMOS)和P沟道MOS管(PMOS)是现代电子电路中不可或缺的两种场效应晶体管,广泛应用于数字逻辑电路、电源管理、模拟开关等领域。尽管它们在结构上相似,但在工作原理、性能表现和应用场景上存在显著差异。...
  • TSS管与聚鼎PXXXX L、XPL vs XGL电感性能对比分析 引言TSS管(Thin-Sheet Sensor Tube)作为现代电子设备中常见的信号传输与滤波元件,其性能直接影响系统的稳定性与效率。与此同时,聚鼎科技推出的PXXXX系列电感,包括L型、XPL型与XGL型,在高频应用中表现突出。本文将从材料特性...
  • P沟道MOS管30V与N沟道MOS管30V参数对比及应用解析 P沟道MOS管30V与N沟道MOS管30V核心参数对比在现代电子电路设计中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其高效率、低功耗和快速开关特性被广泛应用。其中,30V耐压等级的P沟道与N沟道MOS管是电源管理、电机驱动和负载开...
  • P沟道MOS管与N沟道MOS管的核心差异解析:结构、工作原理与应用对比 P沟道MOS管与N沟道MOS管的基本概念MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是现代电子电路中不可或缺的元件,根据导电沟道类型不同,可分为P沟道和N沟道两种。其中,P沟道MOS管(PMOS)以空穴为多数载流子,而N沟道MOS管(NMO...
  • 三款工业控制模块深度评测:选型指南与性价比解析 前言:为何要对比这三款模块?面对市场上众多型号相似的工业控制模块,准确识别各产品的核心优势至关重要。本次评测聚焦于 WAN5020D245W36、WAN2012F245M06 与 WAN4030D245M02,结合实际测试数据与用户反馈,提供一份全面的选型参考...
  • 模拟产品与模拟量模块抗干扰设计关键技术解析 模拟产品与模拟量模块抗干扰设计关键技术解析在工业自动化、智能传感器、过程控制等系统中,模拟信号的稳定传输至关重要。由于模拟量信号易受电磁干扰(EMI)、地线噪声、电源波动等因素影响,因此对模拟产品及模拟量...
  • 如何正确选用100V P/N沟道MOS管?技术要点全解析 100V P/N沟道MOS管的选型与设计优化策略在电源管理与智能控制领域,合理选用100V耐压的P沟道与N沟道MOS管是保障系统稳定性和效率的关键环节。本文将从性能指标、电路拓扑、热管理等多个维度进行深入剖析。1. 电压与电流匹配原...