关于MOS管防止电源反向的一些结论

什么是MOS管？ MOS管通常是指pmos。 PMOS是指具有n型衬底和p沟道的MOS管，该沟道承载电流通过孔的流动。
电源反接会损坏电路。但是，电源的反向连接是不可避免的。
因此，我们需要在电路上增加一个保护电路，以达到即使电源反向也不会损坏的目的。通常，可以通过将二极管与电源的正极串联连接来解决此问题。
但是，由于二极管的压降，它将对电路造成不必要的损耗，尤其是对于电池供电的应用而言。原始电池电压为3.7V，因此可以使用二极管将其降低0.6V，从而大大降低了电池寿命。
MOS管反接，优点是电压降小，很小，几乎可以忽略不计。当前的MOS管假设为6.5毫欧，流过的电流为1A（此电流已经很大），并且其上的压降仅为6.5毫伏，则其内部电阻可以达到几毫欧。
随着MOS管越来越便宜，人们逐​​渐开始使用MOS管来防止电源反向连接。如何防止MOS管反向连接。
电源反接会损坏电路。但是，电源的反向连接是不可避免的。
因此，我们需要在电路上增加一个保护电路，以达到即使电源反向也不会损坏的目的。通常，可以通过将二极管与电源的正极串联连接来解决此问题。
但是，由于二极管的压降，它将对电路造成不必要的损耗，尤其是对于电池供电的应用而言。原始电池电压为3.7V，因此可以使用二极管将其降低0.6V，从而大大降低了电池寿命。
MOS管反接的优点是压降小，几乎可以忽略不计。当前的MOS管假设为6.5毫欧，流过的电流为1A（此电流已经很大），并且其上的压降仅为6.5毫伏，则其内部电阻可以达到几毫欧。
随着MOS管越来越便宜，人们逐​​渐开始使用MOS管来防止电源反向连接。 NMOS管防止电源反向连接电路：正确连接时：刚加电时，MOS管的寄生二极管打开，因此S的电势约为0.6V，G极的电势为VBAT，VBAT-0.6 V大于UGS的阀。
当打开电压时，MOS管的DS将打开。因为内部电阻非常小，所以寄生二极管短路，并且电压降几乎为零。
当电源反接：UGS = 0时，MOS管将不导通，负载电路断开，从而确保电路安全。 PMOS管防止电源反向连接电路：正确连接时：刚加电时，MOS管的寄生二极管打开，电源和负载形成环路，因此S极电势为VBAT-0.6V ，并且G极电势为0V，PMOS管导通，从D到S的电流使二极管短路。
电源反接时：G极高，PMOS管不导通。保护电路安全。
连接技术NMOS管DS连接到负极，PMOS管DS连接到正极，因此，寄生二极管的方向面向正确连接的电流方向。感觉DS流动的方向是“反向”？一个细心的朋友会发现，在抗反向连接电路中，DS的电流方向与我们通常使用的电流方向相反。
为什么连接方向相反？通过使用寄生二极管的传导效应，在刚接通电源时，UGS可以满足阈值要求。为什么可以逆转？如果是三极管，NPN的电流方向只能从C到E，PNP的电流方向只能从E到C。
但是，MOS管的D和S可以互换。这也是三极管和MOS管之间的差异之一。
（关于这个问题，让我们打开另一篇文章进行讨论，本文仅讨论MOS晶体管的反反向效应）。以上是示意图。
在实际应用中，必须在G极前面添加一个电阻。以上是对MOS管反向连接方法的一些分析，希望对学习MOS管的设计人员有所帮助。