1月16日下午,在“ 2015物联网技术与创新应用大会”上,由电子爱好者,德国T&Uuml V大中华区电子和电气产品线的技术支持和研发部门副总经理罗立义主持; TÜ V Rheinland Smart Wearable Device Certification Service& rdquo;发表了关于该主题的演讲。在过去的两年中,物联网行业中最著名的智能可穿戴设备发展迅速。
产品不仅从简单的智能手镯和智能手表扩展到智能眼镜,智能戒指,智能跑鞋等,而且出货量也在不断增加。但是,随着行业的不断发展,严重的同质性,低耐用性和不正确的数据收集等问题变得更加突出。
重要原因之一是缺乏可靠且权威的测试法规。作为世界知名的第三方测试和认证组织,T& V Rheinland已发布了世界上第一个可穿戴设备认证标准。
场地上没有空座位。罗莉说,作为世界著名的第三方测试和认证组织,T& V Rheinland已发布了世界上第一个可穿戴设备的认证标准。
在“ 2015物联网技术与创新应用大会”上罗立指出,智能可穿戴设备具有形式多样,功能多样,应用广泛,制造商众多,质量参差不齐等多种因素,导致其市场混乱。可靠的测试和认证机制可以很好地规范行业发展,并为消费者提供权威,可靠的购买指导。
罗莉说,T& Uuml;可穿戴设备测试和认证计划主要从以下几个方面对可穿戴设备进行评估:一个是智能评估。以手镯为例。
市场上的手镯产品的功能非常简单,甚至是带有蓝牙的计步器。此类产品的智能性无法得到保证,因此T& V Rheinland将从智能性角度进行评估。
腕带。专门的智能评估项目包括腕带传感器评估,对用户的腕带反馈模式评估,腕带与中央数据处理单元之间的互操作性评估,中央数据处理单元功能的特殊评估以及数据信息的安全性评估。
第二是安全评估。目前,市场上的可穿戴设备主要用于医疗和保健领域。
收集到的数据是非常敏感的生理数据,因此可穿戴设备的信息安全非常重要。在安全性方面,主要测试项目包括手镯身份认证,手镯密码保护和其他信息安全保护方法。
第三是耐磨性。可穿戴性是可穿戴设备的一个特殊方面。
它专门指的是设备上是否存在过敏性材料,手镯的耐用性评估,智能手镯的环境适应性评估,智能手镯的内置电池的评估以及电磁场在医疗领域的智能手镯。干扰评估。
罗力强调,为了让消费者更方便,准确地评估可穿戴产品的选择,T& V Rheinland对不同品牌的可穿戴设备进行了对比测试,参数一目了然,使测试变得乏味报告直观易懂。同时,德国莱茵T& Uuml; V还可为客户进行定制的用户体验测试,以最大程度地提高客户的便利性。
在演讲后的圆桌讨论中,德州仪器(TI)中国市场经理文思华,经纬雅格副总裁王海利和是德科技业务发展经理卢宝华在罗里接受了如何解决可穿戴设备难以着陆的问题。听众问问题。
现场观众提出问题罗莉回答观众问题可穿戴设备的发展仍处于起步阶段,在技术和市场上都存在许多障碍。未来的可穿戴设备不仅是具有运动监控功能的配件,而且是与移动医疗和移动支付等细分领域相结合的用于与云进行数据通信的移动门户。
根据可穿戴产业的发展速度,这样的日子不会太遥远。为了使可穿戴设备实现这一伟大使命,斯坦
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: ys@jepsun.com
产品经理: 汤经理
QQ: 2057469664
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
- 40-300V N沟道MOSFET选型指南 在电子设计中,选择合适的功率MOSFET对于确保电路的高效和稳定运行至关重要。40-300V电压范围内的N沟道MOSFET是许多电源转换、电机控制和其他电力应用中的关键组件。本文将探讨如何根据不同的应用场景选择适合的MOSFET,包括...
- 400V N沟道MOS管应用及选型指南 在电力电子设备中,N沟道MOS管因其低导通电阻、高速开关性能和高效率而被广泛应用。尤其对于需要承受400V电压的应用场景,选择合适的N沟道MOS管至关重要。本文将探讨如何为您的项目选择适合的400V N沟道MOS管,并提供一些关...
- 0-40V N沟道MOSFET的应用与选择指南 在电子设计中,0-40V N沟道MOSFET是一种常用的半导体器件,广泛应用于电源管理、电机控制和信号放大等场合。正确选择和应用MOSFET对于确保电路性能和可靠性至关重要。本文将探讨如何根据具体需求选择合适的0-40V N沟道MOSFET,并...
- N沟道MOS管8V至29V应用与选择指南 在电子设计中,MOS管作为开关或放大器使用时具有重要的地位。特别是对于N沟道MOS管,其在低侧开关应用中表现尤为出色。针对您提到的8V至29V电压范围内的N沟道MOS管,本文将从以下几个方面进行探讨:1. 理解N沟道MOS管的工作原...
- N+P互补对MOS管工作电压范围从8V到29V的应用与选型指南 在电子设计领域,特别是在电源管理和电机控制等应用中,选择合适的MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)至关重要。N+P互补对MOS管因其独特的性能,在宽电压范围内提供了出色的解决方案。本文将围绕N+P互补对MOS管的工作电压范...
- 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
- N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
- 五向开关DC12(V)0.05(A):应用与技术参数 五向开关DC12(V)0.05(A)是一种电子元件,它在电路设计和设备控制中发挥着重要作用。这种开关通常用于需要控制多个方向或功能的应用场景,例如遥控器、游戏控制器或是小型电子设备的导航按钮等。五向开关能够提供上、...
- N沟道MOS管工作原理及应用 N沟道MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种常见的场效应晶体管,其工作基于电场效应来控制电流。这种类型的晶体管在现代电子设备中有着广泛的应用,从消费电子产品到工业控制系统,乃至最新的计算机芯片技...
- N沟道MOS管100V+参数及应用详解 在电子设计和电路开发中,N沟道MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种非常重要的元件,特别是在需要高电压处理能力的应用场景下,如电源管理和电机控制等。对于一款标称能够承受100V以上的N沟道MOS管来说,了...
- 接近开关WSC1808-N:高性能与广泛应用 接近开关WSC1808-N是一款高性能的感应设备,它主要应用于自动化控制系统中,用于非接触检测物体的存在或位置。这款接近开关具有体积小巧、安装方便的特点,同时具备较高的检测精度和快速响应时间,能够在各种工业环境中...
- N沟道30V MOS管参数及应用实例详解 在电子设计和电力电子系统中,MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)是一种非常重要的半导体器件。特别是N沟道30V MOS管,在低压和中压电力转换应用中有着广泛的应用。这类MOS管因其低导通电阻、高速开关性能以及易于驱动等特性...
- JMV-N积层压敏电阻的应用与特性详解 积层压敏电阻(Multilayer Varistor, MLV),特别是型号为JMV-N的产品,在电子设备中扮演着重要的角色,主要用于过电压保护。这类器件以其小巧的体积、高效的保护性能和良好的热稳定性而受到广泛欢迎。下面将详细介绍JMV-N积层压...
- OMLON接近开关E2E-X2D1-N-Z: 原装正品,现货供应 OMLON品牌的接近开关E2E-X2D1-N-Z是一款高质量、高精度的检测设备。这款产品以其卓越的性能和可靠性,在各种工业自动化领域得到了广泛的应用。原装正品保证了其优秀的品质与稳定性,能够满足用户对于精确度和耐用性的高标准...
- 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
- N沟道MOS管电压范围从31V到99V的应用与选择 在电力电子和开关电源设计中,N沟道MOSFET因其低导通电阻和高速开关性能而被广泛应用。对于需要处理较高电压的应用场景,选择合适的N沟道MOSFET就显得尤为重要。您提到的31V至99V电压范围,正好覆盖了许多工业控制、电机驱动...
- 接近开关E2E-X3D1-N:非接触式感应技术的应用 接近开关E2E-X3D1-N是一种非接触式的感应开关,被广泛应用于自动化控制领域。这种开关通过电磁感应原理来检测目标物体的存在与否,无需与运动部件进行直接接触即可完成检测任务,从而大大提高了设备的可靠性和使用寿命。...
- 欧姆龙E2E-X3D1-N-Z接近开关:工业自动化领域的高效解决方案 欧姆龙的E2E-X3D1-N-Z是一款高性能的接近开关,广泛应用于工业自动化领域。这款接近开关采用先进的传感技术,能够在无需物理接触的情况下检测到金属物体的存在或接近,从而实现对机械设备的精确控制。它具有较高的检测精...
- 聚鼎PH-D瞬态抑制二极管插件TVS管应用及选型指南 在电子设备中,瞬态电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressor,简称TVS管)作为关键的保护元件,在面对瞬态过电压时能够迅速响应,有效地保护电路中的敏感器件免受损害。聚鼎科技(PU Diode)作为国内知名的半导体制造商,其...