剑指可穿戴的TÜVRheinland峰会辩论

1月16日下午,在“ 2015物联网技术与创新应用大会”上,由电子爱好者,德国T&Uuml V大中华区电子和电气产品线的技术支持和研发部门副总经理罗立义主持; TÜ V Rheinland Smart Wearable Device Certification Service& rdquo;发表了关于该主题的演讲。在过去的两年中,物联网行业中最著名的智能可穿戴设备发展迅速。
产品不仅从简单的智能手镯和智能手表扩展到智能眼镜,智能戒指,智能跑鞋等,而且出货量也在不断增加。但是,随着行业的不断发展,严重的同质性,低耐用性和不正确的数据收集等问题变得更加突出。
重要原因之一是缺乏可靠且权威的测试法规。作为世界知名的第三方测试和认证组织,T& V Rheinland已发布了世界上第一个可穿戴设备认证标准。
场地上没有空座位。罗莉说,作为世界著名的第三方测试和认证组织,T& V Rheinland已发布了世界上第一个可穿戴设备的认证标准。
在“ 2015物联网技术与创新应用大会”上罗立指出,智能可穿戴设备具有形式多样,功能多样,应用广泛,制造商众多,质量参差不齐等多种因素,导致其市场混乱。可靠的测试和认证机制可以很好地规范行业发展,并为消费者提供权威,可靠的购买指导。
罗莉说,T& Uuml;可穿戴设备测试和认证计划主要从以下几个方面对可穿戴设备进行评估:一个是智能评估。以手镯为例。
市场上的手镯产品的功能非常简单,甚至是带有蓝牙的计步器。此类产品的智能性无法得到保证,因此T& V Rheinland将从智能性角度进行评估。
腕带。专门的智能评估项目包括腕带传感器评估,对用户的腕带反馈模式评估,腕带与中央数据处理单元之间的互操作性评估,中央数据处理单元功能的特殊评估以及数据信息的安全性评估。
第二是安全评估。目前,市场上的可穿戴设备主要用于医疗和保健领域。
收集到的数据是非常敏感的生理数据,因此可穿戴设备的信息安全非常重要。在安全性方面,主要测试项目包括手镯身份认证,手镯密码保护和其他信息安全保护方法。
第三是耐磨性。可穿戴性是可穿戴设备的一个特殊方面。
它专门指的是设备上是否存在过敏性材料,手镯的耐用性评估,智能手镯的环境适应性评估,智能手镯的内置电池的评估以及电磁场在医疗领域的智能手镯。干扰评估。
罗力强调,为了让消费者更方便,准确地评估可穿戴产品的选择,T& V Rheinland对不同品牌的可穿戴设备进行了对比测试,参数一目了然,使测试变得乏味报告直观易懂。同时,德国莱茵T& Uuml; V还可为客户进行定制的用户体验测试,以最大程度地提高客户的便利性。
在演讲后的圆桌讨论中,德州仪器(TI)中国市场经理文思华,经纬雅格副总裁王海利和是德科技业务发展经理卢宝华在罗里接受了如何解决可穿戴设备难以着陆的问题。听众问问题。
现场观众提出问题罗莉回答观众问题可穿戴设备的发展仍处于起步阶段,在技术和市场上都存在许多障碍。未来的可穿戴设备不仅是具有运动监控功能的配件,而且是与移动医疗和移动支付等细分领域相结合的用于与云进行数据通信的移动门户。
根据可穿戴产业的发展速度,这样的日子不会太遥远。为了使可穿戴设备实现这一伟大使命,斯坦。

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: momo@jepsun.com

产品经理: 李经理

QQ: 2215069954

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • 现货SMC压力开关ISE30A-01-N-L: 高性能与可靠性的结合 现货供应的SMC压力开关ISE30A-01-N-L是一种高性能的自动化控制元件,广泛应用于各种工业领域。这款压力开关具备精确的压力检测功能,能够在系统压力达到预设值时迅速做出反应,从而实现对机械设备的有效控制。ISE30A-01-N-L型号...
  • 40-300V N MOS与0-40V N MOS参数对比:应用场景与选型指南 40-300V N MOS与0-40V N MOS核心参数对比在电源管理、电机驱动及开关电源设计中,N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N MOSFET)是关键元件。根据耐压范围的不同,可将N MOS分为高耐压型(40-300V)与低压型(0-40V)。以下从多个维度...
  • double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
  • N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
  • 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET性能对比及应用解析 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET核心参数对比在现代电源管理与功率电子系统中,N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管(N MOSFET)扮演着关键角色。根据工作电压范围的不同,可将N MOSFET分为两大类:0-40V低电压型与40-300V高电压型。这...
  • 100V N沟道MOS管参数详解:从选型到可靠性验证全指南 100V N沟道MOS管的关键参数深度解读针对31V至100V范围内的100V N沟道MOS管,其参数设计直接影响系统的性能表现。以下为关键指标的详细分析:1. 漏源击穿电压(VBR(DSS))标称值≥100V,实际测试中可达110V以上,具备充足的余量应对瞬...
  • 深入解析:为何SMFF1206成为可穿戴设备首选贴片电阻? 为什么SMFF1206在可穿戴设备中如此流行?近年来,智能手环、健康监测器、真无线耳机等可穿戴设备迅速普及,对元器件提出了“更小、更轻、更省电”的严苛要求。在这一背景下,SMFF1206贴片电阻凭借其极小的封装尺寸和良好的...
  • 40-300V N沟道MOSFET选型指南 在电子设计中,选择合适的功率MOSFET对于确保电路的高效和稳定运行至关重要。40-300V电压范围内的N沟道MOSFET是许多电源转换、电机控制和其他电力应用中的关键组件。本文将探讨如何根据不同的应用场景选择适合的MOSFET,包括...
  • 现货SMC磁性开关D-90、D-A93 D-A73:高效可靠的自动化控制选择 现货供应的SMC磁性开关D-90、D-A93和D-A73型号是工业自动化领域中不可或缺的传感设备。这些开关主要用于检测气缸活塞的位置,通过内置的磁感应元件来实现非接触式的信号传输。它们在设计上具备小巧紧凑的特点,能够轻松安装...
  • 400V N沟道MOS管应用及选型指南 在电力电子设备中,N沟道MOS管因其低导通电阻、高速开关性能和高效率而被广泛应用。尤其对于需要承受400V电压的应用场景,选择合适的N沟道MOS管至关重要。本文将探讨如何为您的项目选择适合的400V N沟道MOS管,并提供一些关...
  • 0-40V N沟道MOSFET的应用与选择指南 在电子设计中,0-40V N沟道MOSFET是一种常用的半导体器件,广泛应用于电源管理、电机控制和信号放大等场合。正确选择和应用MOSFET对于确保电路性能和可靠性至关重要。本文将探讨如何根据具体需求选择合适的0-40V N沟道MOSFET,并...
  • N沟道MOS管8V至29V应用与选择指南 在电子设计中,MOS管作为开关或放大器使用时具有重要的地位。特别是对于N沟道MOS管,其在低侧开关应用中表现尤为出色。针对您提到的8V至29V电压范围内的N沟道MOS管,本文将从以下几个方面进行探讨:1. 理解N沟道MOS管的工作原...
  • N沟道30V MOS管详解:参数、应用与选型指南 N沟道30V MOS管概述N沟道30V MOS管是一种常见的场效应晶体管(FET),广泛应用于电源管理、开关电路和电机控制等场景。其核心优势在于低导通电阻(Rds(on))、高开关速度以及良好的热稳定性,特别适合工作在30伏以下的低压系统...
  • 深入理解N沟道MOSFET:性能优化与常见故障排查指南 N沟道MOSFET的性能优势与优化策略相较于传统双极型晶体管,N沟道MOSFET具有高输入阻抗、低静态功耗、快速开关速度等显著优势,广泛应用于现代电子系统中。以下为性能优化的关键点:1. 栅极驱动优化使用合适的栅极驱动电压(...
  • E+H液位开关FTL20: 高性能与可靠性的液位检测解决方案 E+H液位开关FTL20是一款高性能、高可靠性的液位检测设备,广泛应用于化工、制药、食品加工等多个行业。该款液位开关采用了先进的测量技术,能够在各种复杂工况下准确检测液体的有无及位置变化,确保生产过程的安全与稳定...
  • N沟道MOS管400V高耐压应用解析:性能优势与选型指南 N沟道MOS管400V的核心特性与应用场景在工业电源、光伏逆变器、电动工具及高压储能系统中,N沟道MOS管400V因其出色的耐压能力而成为关键元件。其主要参数包括:• 额定漏源电压(VDS):≥400V• 栅极阈值电压(Vth):1.5–3.0V(...
  • N沟道MOS管31V至99V高耐压应用解析:性能与选型指南 N沟道MOS管31V至99V高耐压器件核心优势在现代电力电子系统中,高耐压N沟道MOS管(N-Channel MOSFET)广泛应用于开关电源、电机驱动、太阳能逆变器及工业控制等领域。其中,31V至99V范围的器件因其优异的电压承受能力,成为中高功...
  • 0-40V N MOS与PVR10D、PMV0402-5R0E100对比分析:性能、应用与选型指南 引言在现代电子系统设计中,功率MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是实现高效能量转换与控制的核心元件。特别是在电源管理、电机驱动和车载电子等领域,选择合适的MOSFET至关重要。本文将对三种常见型号——0-40V N...
  • 大毅保险丝:智能穿戴设备中的安全守护者 大毅保险丝在智能穿戴设备中的核心作用随着智能穿戴设备的普及,其安全性与稳定性成为用户关注的重点。大毅保险丝作为关键元器件,在保障设备运行安全方面发挥着不可替代的作用。1. 高可靠性保护电路大毅保险丝采用优...
  • N+P互补对MOS管工作电压范围从8V到29V的应用与选型指南 在电子设计领域,特别是在电源管理和电机控制等应用中,选择合适的MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)至关重要。N+P互补对MOS管因其独特的性能,在宽电压范围内提供了出色的解决方案。本文将围绕N+P互补对MOS管的工作电压范...