图片“肢解”精巧的单反相机

中国上海，2012年9月19日-LED领域的市场领导者Cree最近宣布推出其最新的低位错（LBPD）100 mm 4H碳化硅外延晶片。

该低基极位错材料的外延漂移层的总基极位错密度小于1cm-2，引起Vf偏移的基极位错容量小于0.1cm-2。

这种新型的低基位错材料的推出进一步反映了Cree对碳化硅材料技术的长期持续投资和创新。

Cree功率器件和射频（RF）首席技术官John Palmour表示：“碳化硅双极（Bipolar）器件的开发长期以来一直受基底平面错位引起的正向电压衰减的影响。

这种低基极位错材料可用于高压双极型器件，例如绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和关断晶闸管（GTO），并提高这些器件的稳定性。

这一最新成果有助于消除磁滞高功率器件商业化的障碍。

＆amp; rdquo;碳化硅是一种高性能的半导体材料，广泛用于照明，功率设备和通信设备的生产中，包括发光二极管（LED），功率转换设备和用于无线通信的射频功率晶体管。

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关于Cree（CREE）Cree成立于1987年，是美国的一家上市公司（1993年，纳斯达克股票代码：CREE），其产品用于全球LED外延，芯片，封装，LED照明解决方案，化合物半导体材料，功率器件以及A-众所周知的射频制造商和行业领导者。

Cree的LED照明产品的优势体现在其独特的材料技术和先进的白光技术（就氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）而言）。

Cree LED产品拥有1,300多项美国专利，2,900多项国际专利，并拥有近390项中国专利（包括授权和正在申请的专利），一直处于世界领先水平。

Cree照明级大功率LED具有发光效率高，色点稳定，寿命长的优点。

Cree为客户提供高质量，高度可靠的发光器件产品，但也为客户提供了一整套LED照明解决方案。

Cree碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管开关器件（MOSFETSwitch）具有导通电阻小，温度系数稳定，漏电流低，切换时间短以及Cree碳化硅肖特基功率二极管（SchottkyPowerDiode）零反向的特性，如恢复电流使Cree的碳化硅功率器件特别适用于需要高频，高效率，高功率密度和高可靠性的功率电子系统。