对于高端CPU,发热是一个非常重要的问题,不仅会影响温度,还会影响超频和性能。为了追求更好的散热效果,有人使用高级硅脂,有人使用水冷等。
但是,这些不是最终的解决方案。硅脂的使用不是一个完美的解决方案,因为硅脂的导热性受到限制。
理想的方法是在CPU的顶盖和散热器的底部之间无限平滑,这样就可以在没有硅脂的情况下获得更好的性能。高导热性。
因此在高湾有一种流派,CPU抛光可以提高散热效果,原理很简单,然后用砂纸将顶盖连续弄平,直到非常光滑为止。说了这么多,我不得不说有人在Ryzen 9 3950X处理器上进行了这样的尝试。
西蒙·彭罗(Simon Penrowe)成功地将此16核处理器抛光为世界上最平坦的CPU,其错误仅为300nm。它是0.3um,这个精度可以说是无敌的。
西蒙·彭罗(Simon Penrowe)的做法也有所不同。他没有使用砂纸进行抛光,而是尝试了多种抛光方法。
因为他本人是机械工程师,所以折腾的选择很多,甚至他设计了抛光系统。据他介绍,用这种方法抛光的CPU的平整度要比打磨的砂纸高2个数量级,而砂纸具有300nm误差的超高精度。
由于工作和家庭照顾,他的工作持续了6个月,但西蒙·彭洛(Simon Penrowe)说,这实际上需要1周。如果您有耐心,可以尝试一下。
最后,作为一名工程师,这次拍摄的视频也非常好。值得一看。
不幸的是,没有提到抛光后CPU温度的变化。
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: ys@jepsun.com
产品经理: 汤经理
QQ: 2057469664
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- PT100热电阻精确对照表第一行数字0到9的含义解析 在PT100热电阻的精确对照表中,第一行通常代表温度范围或温度值。具体来说,数字0到9可能代表不同的温度区间或特定的温度点。例如,在一些表格中,这些数字可能对应于-200℃至+850℃范围内的不同温度间隔。然而,具体的含...
- double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
- 1安铅保险丝直径约0.5至0.8毫米 铅保险丝的直径与所需通过的最大电流有关。一般来说,用于1安培电流的铅保险丝直径大约在0.5毫米到0.8毫米之间,但具体尺寸还需参照实际产品的规格表或制造商提供的数据。因为不同制造商可能有略微不同的设计标准和材料...
- 深度对比:普通USB切换器与高端USB 3.0切换器的实际表现差异 普通切换器 vs. USB 3.0切换器:真实体验大揭秘 面对市场上琳琅满目的切换器产品,许多用户常陷入选择困境。本文将从实际应用场景出发,深入对比普通USB切换器与高端USB 3.0切换器在性能、稳定性与用户体验方面的差异。 1....
- 如何选择合适的可编程晶体振荡器与0.5A低Rds(on) MOS管进行电路设计 关键参数对比与选型指南在设计高可靠性电子系统时,正确选择可编程晶体振荡器(XO)与0.5A低Rds(on) MOS管至关重要。以下从性能指标、应用场景和设计注意事项三方面展开分析。1. 可编程晶体振荡器选型要点频率范围与稳定性:...
- USB切换器与USB 3.0切换器:高效多设备管理的智能解决方案 USB切换器与USB 3.0切换器:现代办公与数字生活的核心工具 在当今多设备并行使用的环境中,如何高效管理多个USB设备成为用户关注的重点。USB切换器和USB 3.0切换器应运而生,为用户提供了一种便捷、稳定且高效的多设备共享...
- 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET性能对比及应用解析 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET核心参数对比在现代电源管理与功率电子系统中,N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管(N MOSFET)扮演着关键角色。根据工作电压范围的不同,可将N MOSFET分为两大类:0-40V低电压型与40-300V高电压型。这...
- 40-300V N MOS与0-40V N MOS参数对比:应用场景与选型指南 40-300V N MOS与0-40V N MOS核心参数对比在电源管理、电机驱动及开关电源设计中,N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N MOSFET)是关键元件。根据耐压范围的不同,可将N MOS分为高耐压型(40-300V)与低压型(0-40V)。以下从多个维度...
- 从0.6X0.3mm到0.8X0.8mm:深入对比两种Chip SMD封装规格 Chip SMD-0.6X0.3mm 与 0.8X0.8mm 封装性能对比在电子元器件选型中,Chip SMD-0.6X0.3mm 和 0.8X0.8mm 是两种极具代表性的超小型封装形式。它们虽同属表面贴装技术,但在尺寸、应用场景及制造难度上存在明显差异。1. 尺寸与物理特性对比 参...
- 电缆绝缘电阻为0的情况分析 当电缆的绝缘电阻测量值为0时,这通常意味着电缆的绝缘层已完全失效或存在严重的损坏。这种情况可能由多种原因引起,包括但不限于:1. 物理损伤:电缆可能因机械外力、施工事故或老化而受到损伤。2. 环境因素:极端温度...
- PT100热电阻温度与电阻值对照表(0°C基准0.385) 根据PT100热电阻的标准特性,其电阻值随温度变化而变化,通常基于0°C时电阻为100Ω作为参考。对于给定的温度系数α=0.385Ω/°C(这指的是每度变化的电阻增量),我们可以构建一个简化版的对照表来展示特定温度下对应的电阻值...
- 3-Phase Gate Drivers 3相栅极驱动器技术详解 在电力电子系统中,3相栅极驱动器是实现高效电机控制的关键组件之一。3相栅极驱动器主要用于控制三相电机中的功率开关器件(如IGBT或MOSFET),通过精确地控制这些开关器件的导通与关断时间,可以有效提高电机运行效率、...
- 4平方毫米铜芯线每米电阻约为0.00431欧姆 在电气工程领域中,了解电线的电阻对于设计和安装安全有效的电路至关重要。以常见的4平方毫米铜芯线为例,其电阻值是衡量该类型电线性能的重要指标之一。根据铜的标准电阻率,在20°C时,纯铜的电阻率为0.01724 Ω·mm²/m,...
- KROM霍科德DG6U-3及DG50U-3压力开关:精密可靠的工业应用选择 KROM霍科德是一家在燃烧技术领域享有盛誉的公司,其提供的产品广泛应用于工业生产过程中。其中,DG6U-3和DG50U-3两款压力开关是该公司的代表性产品之一。这两种型号的压力开关设计精良,能够精确监测和控制气体或液体的压力...
- P沟道MOS管与N沟道MOS管的核心差异解析:结构、工作原理与应用对比 P沟道MOS管与N沟道MOS管的基本概念MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是现代电子电路中不可或缺的元件,根据导电沟道类型不同,可分为P沟道和N沟道两种。其中,P沟道MOS管(PMOS)以空穴为多数载流子,而N沟道MOS管(NMO...
- SMD-3.2X1.6mm与SMD-3.2X3.6mm LED灯珠参数对比及应用解析 引言随着LED照明技术的不断进步,SMD(Surface Mount Device)封装形式的LED灯珠因其高亮度、低功耗和小型化优势,广泛应用于各类显示与照明场景。其中,SMD-3.2X1.6mm与SMD-3.2X3.6mm是两种常见规格的贴片LED灯珠,它们在尺寸、性能和应...
- 0-40V N MOS与PVR10D、PMV0402-5R0E100对比分析:性能、应用与选型指南 引言在现代电子系统设计中,功率MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是实现高效能量转换与控制的核心元件。特别是在电源管理、电机驱动和车载电子等领域,选择合适的MOSFET至关重要。本文将对三种常见型号——0-40V N...
- 电阻值为0说明电路处于短路状态 当电阻值测量结果为0时,这通常意味着在所测试的两点之间存在低阻抗路径,即电路处于短路状态。在正常情况下,电阻值为0表明这两点之间的连接几乎不存在任何阻碍电流通过的因素。这种情况可能发生在导线直接接触、电源...
- 摇表测量电缆绝缘电阻值为0的原因分析与解决策略 ...
- 压力开关PSF100A-0.5:高精度与可靠性的工业解决方案 压力开关PSF100A-0.5是一款精密设备,用于监测和控制各种工业应用中的压力水平。这款产品以其高精度和可靠性而著称,适用于多种环境条件下使用。PSF100A-0.5的设计使其能够精确地检测到最小的压力变化,并及时作出反应。这种...