功率器件的结温与外壳顶部温度相同吗？

通常我们可以针对特定的设备使用上述静态方法，结合红外热成像温度计检查它们之间的差异，然后在实际测量中，使用此差异获取结温。

测量和验证开关电源，电机驱动器和某些功率电子转换器（例如MOSFET或IGBT）的功率器件的结温是必不可少的过程。

功率器件的结温直接关系到其安全性和可靠性。

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测量功率器件结温的常用方法有两种：1.热电偶2.红外热成像温度计为了提高热电偶的测量精度，需要精确的温度补偿；热电偶本身必须用特定的粘合剂固定在测量设备的表面上，固定方法和接触面积会影响测量的准确性。

与被测功率器件相比，如果热电偶的接触面积较大，则它充当散热器，会严重影响测量精度。

红外热像仪无需与设备接触，因此测量过程几乎对测量精度没有影响，因此近年来已被广泛使用。

红外热成像温度计获得的温度如图3所示。

最高温度点是功率设备，那么这个温度是功率设备的结温还是功率设备塑料外壳顶部的温度？图3：红外热成像温度计毫无疑问，测得的温度在功率设备塑料外壳的顶部。

该温度与功率器件内部的硅芯片的结温相同吗？当然不一样。

温度。

结温和外壳顶部温度有什么区别？在数据表中，RthJC是从结点到外壳（底部铜）的热阻，而不是从结点到外壳顶部的热阻，如下表所示。

RthJT + RthTA比RthJC + RthCA大得多，并且只有一小部分热量从壳的顶部输出，因此结温和壳的顶部温度之间的差异非常小。

DFN5 * 6TO220F没有简单的方法来估算此差异。

下图显示了模拟的差异。

诸如不同的外壳类型和不同的外壳材料之类的因素将影响这种差异。

经验值通常在5-10°C左右。

工程师经常问这样的问题，我们如何才能准确地测量功率器件内部硅芯片的结温？在静态条件下，可以测量功率器件内部的寄生二极管的压降，并可以检查结温曲线。

到内部硅芯片对应的结温。

在电路的实际工作条件下，无法测量内部寄生二极管的压降，因此无法实时测量内部硅芯片的结温。